DMG7430LFG-7 与 RQ3E120GNTB 区别
| 型号 | DMG7430LFG-7 | RQ3E120GNTB | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-DMG7430LFG-7 | A33-RQ3E120GNTB | ||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11mΩ | 8.8mΩ@12A,10V | ||||||||||
| 上升时间 | 21.2ns | 4.5ns | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.2W | 2W | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 26.7nC | 10nC | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 2.5V | ±20V | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 22.3ns | 25.5ns | ||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 10S | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | PowerDI | HSMT-8 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 10.5A | 12A | ||||||||||
| 系列 | DMG7430 | - | ||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | 1Channel | ||||||||||
| 配置 | SingleTripleSourceQuadDrain | Single | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1281pF @ 15V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 26.7nC @ 10V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||
| 下降时间 | 5.1ns | 3.4ns | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 5.2ns | 9.6ns | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 1,007 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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RQ3E120GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12A 2W 8.8mΩ@12A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.8269
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1,007 | 对比 | ||||||||||||
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NTTFS4C13NTWG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AON7506 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 12A 20.5W 9.8mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥1.0911
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0 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3E120GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12A 2W 8.8mΩ@12A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥0.9296
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0 | 对比 | ||||||||||||
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NTTFS4C13NTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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