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DMG6898LSDQ-13  与  IRF8910TRPBF  区别

型号 DMG6898LSDQ-13 IRF8910TRPBF
唯样编号 A-DMG6898LSDQ-13 A-IRF8910TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO Dual N-Channel 20 V 2 W 7.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 13.4mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 20V 20V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) - 2W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 16mΩ@9.4A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1149pF @ 10V -
FET类型 2N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 26nC @ 10V -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.5A 10A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.55V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 960pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.55V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 960pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG6898LSDQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 20V 9.5A 车规

暂无价格 0 当前型号
IRF8910TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 13.4mΩ@10A,10V 2W N-Channel 20V 10A 8-SO

暂无价格 0 对比
AO4806 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 20V ±12V 9.4A 2W 14mΩ@9.4A,10V -55℃~150℃

¥5.1111 

阶梯数 价格
460: ¥5.1111
1,000: ¥3.5938
1,500: ¥2.9487
3,000: ¥2.3
0 对比
AO4806 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 20V ±12V 9.4A 2W 14mΩ@9.4A,10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比

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