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DMG6898LSDQ-13  与  AO4806  区别

型号 DMG6898LSDQ-13 AO4806
唯样编号 A-DMG6898LSDQ-13 A-AO4806
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 200
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14mΩ@9.4A,10V
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@1.8V - 30mΩ
产品特性 车规 -
Rds On(Max)@4.5V - 16mΩ
Rds On(Max)@2.5V - 22mΩ
Qgd(nC) - 4.7
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1149pF @ 10V -
栅极电压Vgs - ±12V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 26nC @ 10V -
Td(on)(ns) - 3.3
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 9.5A 9.4A
Ciss(pF) - 1810
Trr(ns) - 22 Ohms
Td(off)(ns) - 44
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) - 2W
Qrr(nC) - 8.6
RdsOn(Max)@Id,Vgs 16mΩ@9.4A,4.5V -
VGS(th) - 1 Ohms
FET类型 2N-Channel N-Channel
Coss(pF) - 232
Qg*(nC) - 17.9
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
460+ :  ¥5.1111
1,000+ :  ¥3.5938
1,500+ :  ¥2.9487
3,000+ :  ¥2.3
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG6898LSDQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 20V 9.5A 车规

暂无价格 0 当前型号
IRF8910TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 13.4mΩ@10A,10V 2W N-Channel 20V 10A 8-SO

暂无价格 0 对比
AO4806 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 20V ±12V 9.4A 2W 14mΩ@9.4A,10V -55℃~150℃

¥5.1111 

阶梯数 价格
460: ¥5.1111
1,000: ¥3.5938
1,500: ¥2.9487
3,000: ¥2.3
0 对比
AO4806 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 20V ±12V 9.4A 2W 14mΩ@9.4A,10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比

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