首页 > 商品目录 > > > DMG4800LK3-13代替型号比较

DMG4800LK3-13  与  IRLR3103PBF  区别

型号 DMG4800LK3-13 IRLR3103PBF
唯样编号 A-DMG4800LK3-13 A-IRLR3103PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3 MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 107W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1.71W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 17mΩ@9A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 798 pF @ 10 V 1600pF @ 25V
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 8.7 nC @ 5 V -
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 50nC @ 4.5V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 19 毫欧 @ 33A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 55A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG4800LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
AOD480 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.4286 

阶梯数 价格
1: ¥1.4286
100: ¥1.0294
1,000: ¥0.8861
2,500: ¥0.7
2 对比
IRLR3103TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
IRLR3103TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
AOD480 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 对比
IRLR3103PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售