DMG4496SSS-13 与 FDS6612A 区别
| 型号 | DMG4496SSS-13 | FDS6612A |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DMG4496SSS-13 | A-FDS6612A |
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP | N-Channel 30 V 22 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 1.42W(Ta) | 2.5W(Ta) |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 21.5mΩ@10A,10V | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 493.5 pF @ 15 V | - |
| 栅极电压Vgs | ±25V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 10.2 nC @ 10 V | - |
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SOIC |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 10A(Ta) | 8.4A |
| 系列 | - | PowerTrench® |
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 560pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 7.6nC @ 5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 导通电阻Rds(On) | - | 22m Ohms@8.4A,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMG4496SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.42W(Ta) ±25V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 10A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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AO4496 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C |
￥0.4927
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2,577 | 对比 | ||||||||
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FDS6612A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.4A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 22m Ohms@8.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.4A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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FDS6612A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.4A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 22m Ohms@8.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.4A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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AO4496 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C |
￥1.6031
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0 | 对比 |
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