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DMG4466SSSL-13  与  FDS6612A  区别

型号 DMG4466SSSL-13 FDS6612A
唯样编号 A-DMG4466SSSL-13 A-FDS6612A
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10A 8SO N-Channel 30 V 22 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 22m Ohms@8.4A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.42W(Ta) 2.5W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 23mΩ@10A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 478.9 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 17 nC @ 10 V -
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A(Ta) 8.4A
系列 - PowerTrench®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 560pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7.6nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG4466SSSL-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥1.111 

阶梯数 价格
50: ¥1.111
100: ¥0.7381
393 对比
SI4410DYTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
BSO110N03MSGXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO110N03MS G_8-SOIC(0.154"",3.90mm宽)

暂无价格 0 对比
BSO110N03MS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO110N03MSGXUMA1_4.9mm SOIC-8

暂无价格 0 对比
FDS6612A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 对比

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