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DMG4466SSSL-13  与  BSO110N03MSGXUMA1  区别

型号 DMG4466SSSL-13 BSO110N03MSGXUMA1
唯样编号 A-DMG4466SSSL-13 A-BSO110N03MSGXUMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10A 8SO MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.56W(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1.42W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 23mΩ@10A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 478.9 pF @ 15 V 1500pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 17 nC @ 10 V -
封装/外壳 8-SO 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 10V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 11 毫欧 @ 12.1A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 10A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG4466SSSL-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥1.111 

阶梯数 价格
50: ¥1.111
100: ¥0.7381
393 对比
SI4410DYTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
BSO110N03MSGXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO110N03MS G_8-SOIC(0.154"",3.90mm宽)

暂无价格 0 对比
BSO110N03MS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO110N03MSGXUMA1_4.9mm SOIC-8

暂无价格 0 对比
FDS6612A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 对比

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