DMG4413LSS-13 与 IRF9310TRPBF 区别
| 型号 | DMG4413LSS-13 | IRF9310TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DMG4413LSS-13 | A-IRF9310TRPBF |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 30 V 6.8 mOhm 58 nC 2.5W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 1.7W | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.5mΩ@13A,10V | 4.6mΩ@20A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.5W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOP | 8-SO |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 12A | 20A |
| 系列 | DMG | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.1V @ 250µA | 2.4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4965pF @ 15V | 5250pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 46nC @ 5V | 165nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.4V @ 100µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5250pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 165nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMG4413LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 7.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 12A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRF9310PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.6mΩ@20A,10V P-Channel 30V 20A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF7425PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.2mΩ@15A,4.5V P-Channel 20V 15A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF9310TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.6mΩ@20A,10V P-Channel 30V 20A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF7425TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.2mΩ@15A,4.5V P-Channel 20V 15A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSO301SP H | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
DSO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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