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DMG3420U-7  与  RUR040N02TL  区别

型号 DMG3420U-7 RUR040N02TL
唯样编号 A-DMG3420U-7 A3x-RUR040N02TL
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
正向跨导-最小值 9 S -
Rds On(Max)@Id,Vgs 29mΩ@6A,10V 35mΩ@4A,4.5V
上升时间 8.3ns -
Qg-栅极电荷 5.4nC -
栅极电压Vgs ±12V ±10V
封装/外壳 SOT-23 SC-96
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.47A 4A(Ta)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,10V 1.5V,4.5V
下降时间 5.3ns -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 680pF @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.3V @ 1mA
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 740mW 1W(Ta)
典型关闭延迟时间 21.6ns -
FET类型 - N-Channel
系列 DMG3420 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 434.7pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.4nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 6.5ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 15,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
3,000+ :  ¥0.88
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG3420U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 5.47A 740mW 29mΩ@6A,10V 20V ±12V

暂无价格 0 当前型号
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta)

¥0.88 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.88
15,000 对比
AO3420 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 20V ±12V 6A 1.4W 24mΩ@6A,10V -55°C~150°C

¥0.641 

阶梯数 价格
1: ¥0.641
100: ¥0.5102
1,000: ¥0.3676
1,500: ¥0.3165
3,000: ¥0.25
2,689 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A

¥0.8492 

阶梯数 价格
60: ¥0.8492
200: ¥0.5852
2,356 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A

¥1.2937 

阶梯数 价格
120: ¥1.2937
500: ¥1.217
533 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta)

暂无价格 100 对比

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