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DMG3415U-7  与  AO3415  区别

型号 DMG3415U-7 AO3415
唯样编号 A-DMG3415U-7 A3-AO3415
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 80
宽度 1.3mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 39mΩ@4A,4.5V 41mΩ@-4A,-4.5V
上升时间 117ns -
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@1.8V - 65mΩ
Rds On(Max)@2.5V - 53mΩ
Qg-栅极电荷 9.1nC -
Qgd(nC) - 2.2
栅极电压Vgs ±8V ±8V
Td(on)(ns) - 13
封装/外壳 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 4A -4A
配置 Single -
Ciss(pF) - 751
长度 2.9mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V -
下降时间 393ns -
高度 1mm -
Trr(ns) - 26
Td(off)(ns) - 19
漏源极电压Vds 20V -20V
Pd-功率耗散(Max) 900mW 1.5W
Qrr(nC) - 51
VGS(th) - -0.9
典型关闭延迟时间 795ns -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 DMG3415 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 294pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.1nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 71ns -
Coss(pF) - 115
Qg*(nC) - 9.3
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG3415U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4A 900mW 39mΩ@4A,4.5V 20V ±8V P-Channel

暂无价格 0 当前型号
AO3415 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -4A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C

暂无价格 1,828 对比
PMV65XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 P-Channel 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -2.8A

暂无价格 378 对比
AO3415A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -5A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C

¥0.8665 

阶梯数 价格
1: ¥0.8665
100: ¥0.7435
110 对比
RTR030P02TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 3A(Ta) ±12V 1W(Ta) 75mΩ@3A,4.5V 150°C(TJ) 20V 3A SC-96

暂无价格 0 对比
AO3415 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -4A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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