DMG3402L-7 与 FDN337N 区别
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规格信息
型号	DMG3402L-7	FDN337N
唯样编号	A-DMG3402L-7	A3-FDN337N-2
制造商	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	通用MOSFET
描述	MOSFET N-CH 30V 4A SOT23	N-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - SSOT-3
数据表	DMG3402L-7.pdf DMG3402L.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	-	500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	-	65 毫欧 @ 2.2A,4.5V
漏源极电压Vds	30V	30V
Pd-功率耗散(Max)	1.4W(Ta)	500mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs	52mΩ@4A,10V	-
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	464 pF @ 15 V	-
栅极电压Vgs	±12V	±8V
FET类型	N-Channel	N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值)	11.7 nC @ 10 V	-
封装/外壳	SOT-23-3	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	4A(Ta)	2.2A(Ta)
驱动电压	2.5V,10V	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	-	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	300pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	9nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	-	2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	300pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	9nC @ 4.5V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
DMG3402L-7	Diodes Incorporated	数据手册	通用MOSFET	N-Channel 1.4W(Ta) ±12V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 4A(Ta)	暂无价格	当前型号
IRLML6346TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 63mΩ@3.4A,4.5V N-Channel 30V 3.4A Micro3™/SOT-23	暂无价格	对比
BSS205N H6327	Infineon	数据手册	小信号MOSFET	20V 2.5A 40mΩ 12V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规	暂无价格	对比
FDN337N	ON Semiconductor		通用MOSFET	±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	暂无价格	对比
BSS306N H6327	Infineon	数据手册	小信号MOSFET	30V 2.3A 44mΩ 20V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规	暂无价格	对比
FDN337N	ON Semiconductor		通用MOSFET	±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	暂无价格	对比