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DMG3401LSNQ-7  与  DMG3401LSNQ-13  区别

型号 DMG3401LSNQ-7 DMG3401LSNQ-13
唯样编号 A-DMG3401LSNQ-7 A-DMG3401LSNQ-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3 MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
漏源极电压Vds 30V 30V
产品特性 车规 车规
Pd-功率耗散(Max) 800mW 800mW
RdsOn(Max)@Id,Vgs 50mΩ@4A,10V 50mΩ@4A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1326 pF @ 15 V 1326 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 25.1 nC @ 10 V 25.1 nC @ 10 V
封装/外壳 SC-59-3 SC-59-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 3A(Ta) 3A(Ta)
驱动电压 2.5V,10V 2.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG3401LSNQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 800mW ±12V SC-59-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3A(Ta) 车规

暂无价格 0 当前型号
DMG3401LSNQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 800mW ±12V SC-59-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3A(Ta) 车规

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