DMG2307L-7 与 RRL025P03TR 区别
| 型号 | DMG2307L-7 | RRL025P03TR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DMG2307L-7 | A3-RRL025P03TR |
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 0.76W | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 90mΩ@2.5A,10V | 55mΩ |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1W |
| Qg-栅极电荷 | - | 5.2nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 2.5V |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-363T-6 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 3.8A | 2.5A |
| 系列 | DMG | - |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 371.3pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.2nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 150 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMG2307L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 90mΩ@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.8A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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IRLML5203TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 98mΩ@3A,10V P-Channel 30V 3A SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RRL025P03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2.5A 1W 55mΩ 30V 2.5V SOT-363T-6 -55°C~150°C |
￥4.4559
|
3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RRL025P03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2.5A 1W 55mΩ 30V 2.5V SOT-363T-6 -55°C~150°C |
￥4.4559
|
1,266 | 对比 | ||||||||||||||
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RRL025P03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2.5A 1W 55mΩ 30V 2.5V SOT-363T-6 -55°C~150°C |
暂无价格 | 150 | 对比 | ||||||||||||||
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RRL025P03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2.5A 1W 55mΩ 30V 2.5V SOT-363T-6 -55°C~150°C |
￥5.6583
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100 | 对比 |
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