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DMG2305UXQ-7  与  DMG2305UXQ-13  区别

型号 DMG2305UXQ-7 DMG2305UXQ-13
唯样编号 A-DMG2305UXQ-7 A-DMG2305UXQ-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 52mΩ -
上升时间 13.7ns -
产品特性 车规 车规
Qg-栅极电荷 10.2nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 808 pF @ 15 V
栅极电压Vgs 500mV ±8V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 10.2 nC @ 4.5 V
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 4.2A 4.2A(Ta)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V -
下降时间 34.7ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 808pF @ 15V -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 1.4W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 52mΩ@4.2A,4.5V
典型关闭延迟时间 79.3ns -
FET类型 - P-Channel
系列 DMG230 -
通道数量 1Channel -
驱动电压 - 1.8V,4.5V
典型接通延迟时间 10.8ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.2nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG2305UXQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 4.2A 1.4W 52mΩ 20V 500mV SOT-23-3 车规

暂无价格 0 当前型号
DMG2305UX-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 5A 1.4W 52mΩ@4.2A,4.5V 20V ±8V P-Channel

¥0.4446 

阶梯数 价格
120: ¥0.4446
200: ¥0.286
3,000: ¥0.255
34,320 对比
DMG2305UX-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±8V 1.4W(Ta) 52mΩ@4.2A、4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 4.2A

¥0.3692 

阶梯数 价格
140: ¥0.3692
500: ¥0.3367
2,500: ¥0.312
5,000: ¥0.2912
10,000: ¥0.2665
15,149 对比
IRLML6402GTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

P 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
DMG2305UX-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±8V 1.4W(Ta) 52mΩ@4.2A、4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 4.2A

暂无价格 0 对比
DMG2305UXQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 1.4W(Ta) ±8V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 20V 4.2A(Ta) 车规

暂无价格 0 对比

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