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DMG2302UK-7  与  DMG2302UKQ-13  区别

型号 DMG2302UK-7 DMG2302UKQ-13
唯样编号 A-DMG2302UK-7 A-DMG2302UKQ-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 DMG2302UK Series 20 V 2.8 A N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 90mΩ@3.6A,4.5V -
上升时间 2.7ns -
产品特性 车规 车规
Qg-栅极电荷 1.4nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 130 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±12V ±12V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 2.8 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 2.8A 2.8A(Ta)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
下降时间 1.7ns -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 660mW 660mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 90mΩ@3.6A,4.5V
典型关闭延迟时间 4.2ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 汽车级,AEC-Q101 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
驱动电压 - 2.5V,4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 130pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.8nC @ 10V -
典型接通延迟时间 0.6ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG2302UK-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2.8A 660mW 90mΩ@3.6A,4.5V 20V ±12V N-Channel 车规

暂无价格 0 当前型号
FDN335N ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥1.43 

阶梯数 价格
40: ¥1.43
100: ¥1.0956
750: ¥0.9141
1,500: ¥0.8305
3,000: ¥0.7689
7,676 对比
FDN335N ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 3,000 对比
DMG2302UK-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 20V 2.8A(Ta) ±12V 660mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 车规

¥0.494 

阶梯数 价格
110: ¥0.494
500: ¥0.3289
2,408 对比
DMG2302UKQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 车规

暂无价格 6 对比
DMG2302UKQ-13 Diodes Incorporated 小信号MOSFET

N-Channel 660mW(Ta) ±12V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 20V 2.8A(Ta) 车规

暂无价格 0 对比

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