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DMG1012T-7  与  DMG1012TQ-7  区别

型号 DMG1012T-7 DMG1012TQ-7
唯样编号 A-DMG1012T-7 A36-DMG1012TQ-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 400mΩ@600mA,4.5V -
上升时间 7.4ns -
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 736.6pC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 60.67 pF @ 16 V
栅极电压Vgs ±6V ±6V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 0.74 nC @ 4.5 V
封装/外壳 SOT-523 SOT-523
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 630mA 630mA(Ta)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V -
下降时间 12.3ns -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 280mW 280mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 400mΩ@600mA,4.5V
典型关闭延迟时间 26.7ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 DMG1012 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
驱动电压 - 1.8V,4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 60.67pF @ 16V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.74nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 5.1ns -
库存与单价
库存 0 7,371
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
110+ :  ¥0.4979
200+ :  ¥0.3211
1,500+ :  ¥0.2795
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG1012T-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-523 630mA 280mW 400mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N-Channel

暂无价格 0 当前型号
DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 280mW(Ta) ±6V SOT-523 -55℃~150℃(TJ) 20V 630mA(Ta) 车规

¥0.4979 

阶梯数 价格
110: ¥0.4979
200: ¥0.3211
1,500: ¥0.2795
7,371 对比
DMG1012T-13 Diodes Incorporated 小信号MOSFET

N-Channel 280mW(Ta) ±6V SOT-523 -55℃~150℃(TJ) 20V 630mA(Ta)

¥0.3406 

阶梯数 价格
150: ¥0.3406
500: ¥0.2625
5,000: ¥0.2265
7,084 对比
DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 280mW(Ta) ±6V SOT-523 -55℃~150℃(TJ) 20V 630mA(Ta) 车规

暂无价格 0 对比
DMG1012T-13 Diodes Incorporated 小信号MOSFET

N-Channel 280mW(Ta) ±6V SOT-523 -55℃~150℃(TJ) 20V 630mA(Ta)

暂无价格 0 对比

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