DMC3025LSD-13 与 IRF9389TRPBF 区别
| 型号 | DMC3025LSD-13 | IRF9389TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DMC3025LSD-13 | A-IRF9389TRPBF |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Dual N/P-Channel 30 V 32/85 mOhm 4.6/5.1 nC 1.2 W Silicon SMT Mosfet SOIC-8 | N/P-Channel ±30 V 27/64 mO 2 W HEXFET Mosfet Surface Mount - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 2W |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| FET类型 | - | N+P-Channel |
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SO |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 6.8A,4.6A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.3V @ 10µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 398pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 14nC @ 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.3V @ 10µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 398pF @ 15V |
| 导通电阻Rds(On) | - | 27mΩ@6.8A,10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 14nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMC3025LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
AO4616 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 8.5A 2W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥1.848
|
79 | 对比 | ||||
|
|
AO4616 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 8.5A 2W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥1.7372
|
0 | 对比 | ||||
|
IRF9389TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 27mΩ@6.8A,10V 2W N+P-Channel 30V 6.8A,4.6A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
AO4616 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 8.5A 2W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
AUIRF7309QTR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 4A,3A 50mΩ@2.4A,10V 1.4W -55°C~150°C(TJ) 8-SO 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
