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DMC2004DWK-7  与  BSD235CH6327XTSA1  区别

型号 DMC2004DWK-7 BSD235CH6327XTSA1
唯样编号 A-DMC2004DWK-7 A-BSD235CH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 Dual N & P-Channel 20 V 550 mOhm Enhancement Mode Transistor SOT-363 MOSFET N/P-CH 20V SOT363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 550mΩ@540mA,4.5V -
漏源极电压Vds 20V -
功率-最大值 - 500mW
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 250mW -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 47pF @ 10V
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
封装/外壳 SOT-363 6-VSSOP,SC-88,SOT-363
工作温度 -65°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.54A,0.43A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 1.6uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.34nC @ 4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 16V -
FET功能 - 逻辑电平门
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 350 毫欧 @ 950mA,4.5V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 950mA,530mA
漏源电压(Vdss) - 20V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMC2004DWK-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

550mΩ@540mA,4.5V 250mW -65°C~150°C(TJ) SOT-363 N+P-Channel 20V 0.54A,0.43A

暂无价格 0 当前型号
PMGD290UCEAX Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMGD290UCEA_SOT363 N+P-Channel 0.28W 150℃ 0.75V,8V 20V 0.725A

¥0.9033 

阶梯数 价格
580: ¥0.9033
1,000: ¥0.7002
1,500: ¥0.5739
3,000: ¥0.517
0 对比
PMGD290UCEAX Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMGD290UCEA_SOT363 N+P-Channel 0.28W 150℃ 0.75V,8V 20V 0.725A

暂无价格 0 对比
BSD235CH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSD235C H6327_N+P-Channel 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
BSD235C H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSD235CH6327XTSA1_20V 950mA,530mA 266mΩ,745mΩ 12V 500mW(1/2W) N+P-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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