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DDTC114WCA-7-F  与  MMUN2214LT1G  区别

型号 DDTC114WCA-7-F MMUN2214LT1G
唯样编号 A-DDTC114WCA-7-F A36-MMUN2214LT1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm NPN Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
R2 4.7k Ohms -
功率耗散Pd 200mW -
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
功率 - 0.246W
特征频率fT 250MHz -
产品特性 - 带阻/预偏置
电阻器-基底(R1)(欧姆) - 10k
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) - 47K Ohms
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 80 @ 5mA,10V
工作温度 -55°C~150°C -
集电极电流Ic 100mA -
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
集电极最大允许电流Ic - 100mA
集电极-发射极Vceo 50V -
直流电流增益hFE 24 -
晶体管类型 NPN NPN
R1 10k Ohms -
库存与单价
库存 0 136,813
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6756
200+ :  ¥0.282
1,500+ :  ¥0.177
3,000+ :  ¥0.1395
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DDTC114WCA-7-F Diodes Incorporated  数据手册 BJT三极管

SOT-23 200mW 50V 100mA NPN

暂无价格 0 当前型号
PDTC114ET,215 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 250mW 50V 100mA NPN

暂无价格 373,403 对比
MMUN2214LT1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-23 NPN 带阻/预偏置

¥0.6756 

阶梯数 价格
80: ¥0.6756
200: ¥0.282
1,500: ¥0.177
3,000: ¥0.1395
136,813 对比
PDTC114YT,215 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 250mW 50V 100mA NPN 带阻/预偏置

¥0.1665 

阶梯数 价格
310: ¥0.1665
1,500: ¥0.104
3,000: ¥0.0825
8,897 对比
PDTC114YT,215 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 250mW 50V 100mA NPN 带阻/预偏置

¥0.6608 

阶梯数 价格
5: ¥0.6608
100: ¥0.4895
1,000: ¥0.3626
1,500: ¥0.2972
3,000: ¥0.2584
3,225 对比
PDTC114ET,215 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 250mW 50V 100mA NPN

¥0.8783 

阶梯数 价格
5: ¥0.8783
100: ¥0.6506
1,000: ¥0.4819
1,500: ¥0.395
3,000: ¥0.3435
460 对比

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