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BUK969R0-60E,118  与  IRF1010NSTRLPBF  区别

型号 BUK969R0-60E,118 IRF1010NSTRLPBF
唯样编号 A-BUK969R0-60E,118 A-IRF1010NSTRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Single N-Channel 55 V 11 mOhm 120 nC 180 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@20A,10V 11mΩ@43A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 137W 180W(Tc)
输出电容 305pF -
栅极电压Vgs ±10V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 85A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 3263pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3210pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3210pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥7.5368
400+ :  ¥6.3871
800+ :  ¥5.8597
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥7.5368 

阶梯数 价格
210: ¥7.5368
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