首页 > 商品目录 > > > > BUK969R0-60E,118代替型号比较

BUK969R0-60E,118  与  IPB80N06S2L11ATMA1  区别

型号 BUK969R0-60E,118 IPB80N06S2L11ATMA1
唯样编号 A-BUK969R0-60E,118 A-IPB80N06S2L11ATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 158W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@20A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 137W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2075pF @ 25V
输出电容 305pF -
栅极电压Vgs ±10V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 93uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 80nC @ 10V
输入电容 3263pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 10.7 毫欧 @ 60A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 55V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥7.5368
400+ :  ¥6.3871
800+ :  ¥5.8597
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK969R0-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK969R0-60E_SOT404 N-Channel 8mΩ@20A,10V 137W -55°C~175°C ±10V 60V 75A

¥7.5368 

阶梯数 价格
210: ¥7.5368
400: ¥6.3871
800: ¥5.8597
0 当前型号
IRF1010NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK

暂无价格 0 对比
AOB1608L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 333W 7.3mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPB80N06S2L11ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOB1606L AOS IGBT晶体管

TO-263(D?Pak) -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRF3205STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@62A,10V N-Channel 55V 110A D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售