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BUK966R5-60E,118  与  IPB054N06N3GATMA1  区别

型号 BUK966R5-60E,118 IPB054N06N3GATMA1
唯样编号 A-BUK966R5-60E,118 A-IPB054N06N3GATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 BUK966R5-60E Series 60 V 5.9 mOhm N-Channel TrenchMOS Logic Level FET - TO-263-3 MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 115W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 182W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6600pF @ 30V
输出电容 439pF -
栅极电压Vgs 1.7V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 58uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 82nC @ 10V
输入电容 5172pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.4 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 5.9mΩ@10V,6.5mΩ@5V -
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 160 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥11.983
100+ :  ¥8.8763
400+ :  ¥7.5223
800+ :  ¥6.9012
暂无价格
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¥11.983 

阶梯数 价格
10: ¥11.983
100: ¥8.8763
400: ¥7.5223
800: ¥6.9012
160 当前型号
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