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BUK965R8-100E,118  与  IRFS4310ZPBF  区别

型号 BUK965R8-100E,118 IRFS4310ZPBF
唯样编号 A-BUK965R8-100E,118 A-IRFS4310ZPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK N沟道,100V,127A,6mΩ@10V
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 349W 250W(Tc)
输出电容 725pF -
栅极电压Vgs 1.7V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 127A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
输入电容 13100pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6860pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 5.8mΩ@5V,5.6mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6860pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥16.2018
400+ :  ¥13.7303
800+ :  ¥12.5966
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK965R8-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK965R8-100E_SOT404

¥16.2018 

阶梯数 价格
210: ¥16.2018
400: ¥13.7303
800: ¥12.5966
0 当前型号
RJ1P12BBDTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥73.2671 

阶梯数 价格
3: ¥73.2671
10: ¥40.294
50: ¥36.2694
100: ¥28.7856
500: ¥25.9013
900 对比
AOB292L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥14.6939 

阶梯数 价格
1: ¥14.6939
100: ¥10.5882
400: ¥9.1139
800: ¥7.2
749 对比
STH110N10F7-2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

H2PAK

¥6.2748 

阶梯数 价格
1: ¥6.2748
2: ¥6.0239
4: ¥5.7828
410 对比
RJ1P12BBDTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥73.2671 

阶梯数 价格
3: ¥73.2671
10: ¥40.294
23 对比
IRFS4310ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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