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BUK964R2-55B,118  与  IRFS3206PBF  区别

型号 BUK964R2-55B,118 IRFS3206PBF
唯样编号 A-BUK964R2-55B,118 A-IRFS3206PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Single N-Channel 60 V 300 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 300W 300W(Tc)
输出电容 1044pF -
栅极电压Vgs 1.5V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 210A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
输入电容 7665pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6540pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 4.2mΩ@5V,3.7mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6540pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥15.0639
400+ :  ¥12.766
800+ :  ¥11.7119
暂无价格
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BUK964R2-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK964R2-55B_SOT404

¥15.0639 

阶梯数 价格
210: ¥15.0639
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20: ¥4.752
100: ¥3.806
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