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BUK963R3-60E,118  与  IRFS3107PBF  区别

型号 BUK963R3-60E,118 IRFS3107PBF
唯样编号 A-BUK963R3-60E,118 A-IRFS3107PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Single N-Channel 75 V 370 W 160 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3mΩ@140A,10V
漏源极电压Vds 60V 75V
Pd-功率耗散(Max) 293W 370W(Tc)
输出电容 822pF -
栅极电压Vgs 1.7V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 230A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 10115pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9370pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 240nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3mΩ@10V,3.3mΩ@5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9370pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 240nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
200+ :  ¥15.0758
400+ :  ¥12.3572
800+ :  ¥10.7454
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK963R3-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK963R3-60E_SOT404 N-Channel 293W 175°C 1.7V 60V 120A

¥15.0758 

阶梯数 价格
200: ¥15.0758
400: ¥12.3572
800: ¥10.7454
0 当前型号
IRFS7537TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@100A,10V N-Channel 60V 173A D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 800 对比
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

¥5.159 

阶梯数 价格
10: ¥5.159
100: ¥4.125
314 对比
IRFS3107PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@140A,10V N-Channel 75V 230A D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB029N06N3 G E8187 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB029N06N3GE8187ATMA1_PG-TO263-3 60V N-Channel

暂无价格 0 对比
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IPB037N06N3GATMA1_60V 90A 3.7mΩ@90A,10V ±20V 188W N-Channel -55°C~175°C TO-263-3

暂无价格 0 对比

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