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BUK9616-75B,118  与  IRFZ44ZSTRRPBF  区别

型号 BUK9616-75B,118 IRFZ44ZSTRRPBF
唯样编号 A-BUK9616-75B,118 A-IRFZ44ZSTRRPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 67A D2PAK Single N-Channel 55 V 80 W 43 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 13.9mΩ@31A,10V
漏源极电压Vds 75V 55V
Pd-功率耗散(Max) 157W 80W(Tc)
输出电容 301pF -
栅极电压Vgs 1.5V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 67A 51A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 3026pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1420pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 43nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 16.4mΩ@5V,14mΩ@10V,18mΩ@4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1420pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 43nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
200+ :  ¥7.7963
400+ :  ¥6.3904
800+ :  ¥5.5569
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK9616-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9616-75B_SOT404 N-Channel 157W 175℃ 1.5V 75V 67A

¥7.7963 

阶梯数 价格
200: ¥7.7963
400: ¥6.3904
800: ¥5.5569
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暂无价格 0 对比

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