BUK9612-55B,118 与 STB60NF06LT4 区别
| 型号 | BUK9612-55B,118 | STB60NF06LT4 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BUK9612-55B,118 | A36-STB60NF06LT4 | ||||
| 制造商 | Nexperia | STMicroelectronics | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | MOSFET | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 宽度 | - | 9.35 mm | ||||
| 正向跨导-最小值 | - | 20 S | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 14mΩ@30A,10V | ||||
| 上升时间 | - | 220 ns | ||||
| 栅极电压Vgs | 1.5V | ±15V | ||||
| 封装/外壳 | SOT404 | D2PAK | ||||
| 工作温度 | 175°C | -65°C~175°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 75A | 60A | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 输入电容 | 2770pF | - | ||||
| 长度 | - | 10.4 mm | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 5V,10V | ||||
| 下降时间 | - | 30 ns | ||||
| 高度 | - | 4.6 mm | ||||
| 漏源极电压Vds | 55V | 60V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 157W | 110W(Tc) | ||||
| 输出电容 | 360pF | - | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 55 ns | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 系列 | - | STB | ||||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2000pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 66nC @ 4.5V | ||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 13.3mΩ@4.5V,10mΩ@10V,12mΩ@5V | - | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 35 ns | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 949 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BUK9612-55B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 157W 175°C 1.5V 55V 75A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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STB60NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A |
￥7.0015
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949 | 对比 | ||||||
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IRFS7787PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 125W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8.4mΩ@46A,10V N-Channel 75V 76A D²PAK(TO-263AB) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRL3705NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.8W(Ta),170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@46A,10V N-Channel 55V 89A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF1010NSTRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF1010NSPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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