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BUK9609-75A,118  与  IRF3808STRLPBF  区别

型号 BUK9609-75A,118 IRF3808STRLPBF
唯样编号 A-BUK9609-75A,118 A-IRF3808STRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK IRF3808S Series N-Channel 75 V 7 mO 200 W HEXFET MosFet Surface Mount - D2-PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7mΩ@82A,10V
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 230W 200W(Tc)
输出电容 905pF -
栅极电压Vgs 1.5V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 106A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 6631pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5310pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 220nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 9mΩ@5V,8.5mΩ@10V,9.95mΩ@4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5310pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 220nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
200+ :  ¥16.7672
400+ :  ¥13.7436
800+ :  ¥11.951
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK9609-75A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9609-75A_SOT404 N-Channel 230W 175°C 1.5V 75V 75A

¥16.7672 

阶梯数 价格
200: ¥16.7672
400: ¥13.7436
800: ¥11.951
0 当前型号
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IRF3808STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@82A,10V N-Channel 75V 106A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS3607PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@46A,10V N-Channel 75V 80A D2PAK

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STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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暂无价格 0 对比
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TO-263 N-Channel 75V ±25V 100A 268W 10.2mΩ@30A,10V -55°C~175°C

¥4.7563 

阶梯数 价格
170: ¥4.7563
400: ¥3.7197
800: ¥2.9014
0 对比

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