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BUK9608-55B,118  与  IRF3205ZSTRLPBF  区别

型号 BUK9608-55B,118 IRF3205ZSTRLPBF
唯样编号 A-BUK9608-55B,118 A-IRF3205ZSTRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Single N-Channel 55 V 170 W 76 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.5mΩ@66A,10V
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 203W 170W(Tc)
输出电容 517pF -
栅极电压Vgs 1.5V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 110A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 3960pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3450pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 8.4mΩ@5V,7mΩ@10V,9.3mΩ@4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3450pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
200+ :  ¥10.6094
400+ :  ¥8.6962
800+ :  ¥7.562
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK9608-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9608-55B_SOT404 N-Channel 203W 175℃ 1.5V 55V 75A

¥10.6094 

阶梯数 价格
200: ¥10.6094
400: ¥8.6962
800: ¥7.562
0 当前型号
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