首页 > 商品目录 > > > > BUK9606-75B,118代替型号比较

BUK9606-75B,118  与  AUIRFS3307Z  区别

型号 BUK9606-75B,118 AUIRFS3307Z
唯样编号 A-BUK9606-75B,118 A-AUIRFS3307Z
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS3307Z, 120 A,128 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.65mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.8mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs 1.5V -
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 120A,128A
输入电容 8770pF -
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4750pF @ 50V
高度 - 4.83mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 38 ns
漏源极电压Vds 75V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 300W 230W
晶体管配置 -
输出电容 842pF -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
Rds On(max)@Id,Vgs 6.6mΩ@4.5V,5.5mΩ@10V,6.1mΩ@5V -
典型接通延迟时间 - 15 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥15.0639
400+ :  ¥12.766
800+ :  ¥11.7119
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK9606-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9606-75B_SOT404

¥15.0639 

阶梯数 价格
210: ¥15.0639
400: ¥12.766
800: ¥11.7119
0 当前型号
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
AOB2606L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 0 对比
AUIRFS3307Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

10.67mm

暂无价格 0 对比
IPB054N06N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB054N06N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售