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BUK9606-55A,118  与  IRFS3307TRLPBF  区别

型号 BUK9606-55A,118 IRFS3307TRLPBF
唯样编号 A-BUK9606-55A,118 A-IRFS3307TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Single N-Channel 75 V 200 W 120nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.3mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 55V 75V
Pd-功率耗散(Max) 300W 200W(Tc)
输出电容 1000pF -
栅极电压Vgs 1.5V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 130A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
输入电容 6500pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5150pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 180nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 5.8mΩ@10V,6.7mΩ@4.5V,6.3mΩ@5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5150pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 180nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
180+ :  ¥27.7725
400+ :  ¥21.6973
800+ :  ¥17.7847
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK9606-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9606-55A_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 1.5V 55V 75A

¥27.7725 

阶梯数 价格
180: ¥27.7725
400: ¥21.6973
800: ¥17.7847
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