首页 > 商品目录 > > > > BUK768R3-60E,118代替型号比较

BUK768R3-60E,118  与  IRF1010EZSTRLP  区别

型号 BUK768R3-60E,118 IRF1010EZSTRLP
唯样编号 A-BUK768R3-60E,118 A-IRF1010EZSTRLP
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Single N-Channel 60 V 140 W 86 nC Surface Mount Power MosFet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8.5mΩ@51A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 137W 140W(Tc)
输出电容 319pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 84A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
输入电容 2188pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2810pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 86nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 8.3mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2810pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 86nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
200+ :  ¥8.7213
400+ :  ¥7.1486
800+ :  ¥6.2162
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK768R3-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK768R3-60E_SOT404 N-Channel 137W 175℃ 3V 60V 75A

¥8.7213 

阶梯数 价格
200: ¥8.7213
400: ¥7.1486
800: ¥6.2162
0 当前型号
IRFS3607TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) D2PAK 75V 80A 7.34mΩ 20V 140W N-Channel

暂无价格 0 对比
IRF1010NSTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF1018ESTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8.4mΩ@47A,10V N-Channel 60V 79A D2PAK

暂无价格 0 对比
AOB470L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 75V ±25V 100A 268W 10.2mΩ@30A,10V -55℃~175℃

¥4.7563 

阶梯数 价格
170: ¥4.7563
400: ¥3.7197
800: ¥2.9014
0 对比
IRF1010EZSTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8.5mΩ@51A,10V N-Channel 60V 84A D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售