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BUK766R0-60E,118  与  IRFS3307ZTRLPBF  区别

型号 BUK766R0-60E,118 IRFS3307ZTRLPBF
唯样编号 A-BUK766R0-60E,118 A-IRFS3307ZTRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 75V, 120A, 0.0058 ohms, D2-PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.8mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 60V 75V
Pd-功率耗散(Max) 182W 230W(Tc)
输出电容 447pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 120A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
输入电容 3390pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4750pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 6mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4750pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC
库存与单价
库存 40 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥13.6982
100+ :  ¥10.3774
400+ :  ¥8.5061
800+ :  ¥7.3966
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK766R0-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK766R0-60E_SOT404 N-Channel 182W 175℃ 3V 60V 75A

¥13.6982 

阶梯数 价格
1: ¥13.6982
100: ¥10.3774
400: ¥8.5061
800: ¥7.3966
40 当前型号
IRFS3307ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.8mΩ@75A,10V N-Channel 75V 120A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF1407STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7.8mΩ@78A,10V N-Channel 75V 100A TO-263

暂无价格 0 对比
IPB054N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB054N06N3GATMA1_60V 80A 4.4mΩ 20V 115W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IRF3808STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 75V 106A(Tc) ±20V 200W(Tc) 7mΩ@82A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比
AOB2606L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 30V 72A 115W 6.2mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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