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BUK766R0-60E,118  与  IRF1407STRLPBF  区别

型号 BUK766R0-60E,118 IRF1407STRLPBF
唯样编号 A-BUK766R0-60E,118 A-IRF1407STRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Single N-Channel 75 V 0.0078 Ohm 250 nC 3.8 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.8mΩ@78A,10V
漏源极电压Vds 60V 75V
Pd-功率耗散(Max) 182W 3.8W(Ta),200W(Tc)
输出电容 447pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 TO-263
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 100A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 3390pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5600pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 250nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 6mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5600pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 250nC
库存与单价
库存 40 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥13.6982
100+ :  ¥10.3774
400+ :  ¥8.5061
800+ :  ¥7.3966
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK766R0-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK766R0-60E_SOT404 N-Channel 182W 175℃ 3V 60V 75A

¥13.6982 

阶梯数 价格
1: ¥13.6982
100: ¥10.3774
400: ¥8.5061
800: ¥7.3966
40 当前型号
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IRF1407STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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