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BUK765R2-40B,118  与  IPB80N04S306ATMA1  区别

型号 BUK765R2-40B,118 IPB80N04S306ATMA1
唯样编号 A-BUK765R2-40B,118 A-IPB80N04S306ATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 100W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 203W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3250pF @ 25V
输出电容 711pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 52uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 47nC @ 10V
输入电容 2842pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.4 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 5.2mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 40V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
180+ :  ¥17.4069
400+ :  ¥13.5991
800+ :  ¥11.1468
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK765R2-40B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK765R2-40B_SOT404 N-Channel 203W 175℃ 3V 40V 75A

¥17.4069 

阶梯数 价格
180: ¥17.4069
400: ¥13.5991
800: ¥11.1468
0 当前型号
AUIRF4104S Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 120A 1.4mΩ 20V 140W N-Channel TO-252-3 40V 车规

暂无价格 0 对比
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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IPB80N04S306ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N04S3-06_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AUIRF1404STRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 75A(Tc) ±20V 3.8W(Ta),200W(Tc) 4mΩ@95A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK 车规

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IRF1404STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4mΩ@95A,10V N-Channel 40V 162A D2PAK

暂无价格 0 对比

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