首页 > 商品目录 > > > > BUK764R4-60E,118代替型号比较

BUK764R4-60E,118  与  IRFS3306TRLPBF  区别

型号 BUK764R4-60E,118 IRFS3306TRLPBF
唯样编号 A-BUK764R4-60E,118 A36-IRFS3306TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.3mΩ
上升时间 - 76ns
Qg-栅极电荷 - 85nC
栅极电压Vgs 3V 20V
正向跨导 - 最小值 - 230S
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 160A
配置 - Single
输入电容 4670pF -
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 77ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4520pF @ 50V
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 234W 230W
输出电容 637pF -
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4520pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 4.5mΩ@10V -
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
库存与单价
库存 70 355
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
10+ :  ¥14.6862
100+ :  ¥10.8787
400+ :  ¥9.2192
800+ :  ¥8.458
5+ :  ¥10.549
100+ :  ¥8.932
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK764R4-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK764R4-60E_SOT404

¥14.6862 

阶梯数 价格
10: ¥14.6862
100: ¥10.8787
400: ¥9.2192
800: ¥8.458
70 当前型号
IRFS3306TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK 10mm

¥10.549 

阶梯数 价格
5: ¥10.549
100: ¥8.932
355 对比
IRFS3306TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK 10mm

暂无价格 0 对比
IPB80N06S4L05ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IRFS3306TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK 10mm

暂无价格 0 对比
IRF1405ZSPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售