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BUK764R4-60E,118  与  IRFS3306TRLPBF  区别

型号 BUK764R4-60E,118 IRFS3306TRLPBF
唯样编号 A-BUK764R4-60E,118 A-IRFS3306TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.3mΩ
上升时间 - 76ns
Qg-栅极电荷 - 85nC
栅极电压Vgs 3V 20V
正向跨导 - 最小值 - 230S
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 160A
配置 - Single
输入电容 4670pF -
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 77ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4520pF @ 50V
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 234W 230W
输出电容 637pF -
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4520pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 4.5mΩ@10V -
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
库存与单价
库存 70 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥17.1751
100+ :  ¥13.0114
400+ :  ¥10.6651
800+ :  ¥9.274
暂无价格
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1: ¥17.1751
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