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BUK764R4-60E,118  与  IRFS3207PBF  区别

型号 BUK764R4-60E,118 IRFS3207PBF
唯样编号 A-BUK764R4-60E,118 A-IRFS3207PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK Single N-Channel 75 V 300 W 180 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.5mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 60V 75V
Pd-功率耗散(Max) 234W 300W(Tc)
输出电容 637pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 180A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 4670pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7600pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 260nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 4.5mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7600pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 260nC @ 10V
库存与单价
库存 70 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥17.1751
100+ :  ¥13.0114
400+ :  ¥10.6651
800+ :  ¥9.274
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK764R4-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK764R4-60E_SOT404 N-Channel 234W 175℃ 3V 60V 100A

¥17.1751 

阶梯数 价格
1: ¥17.1751
100: ¥13.0114
400: ¥10.6651
800: ¥9.274
70 当前型号
IRFS3306TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) D2PAK 60V 160A 3.3mΩ 20V 230W N-Channel

暂无价格 0 对比
IRFS3207PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.5mΩ@75A,10V N-Channel 75V 180A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF2907ZSPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.5mΩ@75A,10V N-Channel 75V 170A D2PAK

暂无价格 0 对比

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