首页 > 商品目录 > > > > BUK764R0-55B,118代替型号比较

BUK764R0-55B,118  与  IRF3205SPBF  区别

型号 BUK764R0-55B,118 IRF3205SPBF
唯样编号 A-BUK764R0-55B,118 A-IRF3205SPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Single N-Channel 55 V 200 W 146 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8mΩ@62A,10V
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 300W 200W(Tc)
输出电容 1054pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 110A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 5082pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3247pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 146nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 4mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3247pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 146nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥13.4138
400+ :  ¥11.3676
800+ :  ¥10.429
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK764R0-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK764R0-55B_SOT404

¥13.4138 

阶梯数 价格
210: ¥13.4138
400: ¥11.3676
800: ¥10.429
0 当前型号
IRF3205STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 11 对比
IRF3205SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB100N06S2L05ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IPB037N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB037N06N3GATMA1_10mm TO-263-3

暂无价格 0 对比
IRF2805STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售