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BUK763R1-60E,118  与  IPB029N06N3GATMA1  区别

型号 BUK763R1-60E,118 IPB029N06N3GATMA1
唯样编号 A-BUK763R1-60E,118 A-IPB029N06N3GATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 188W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 293W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 13000pF @ 30V
输出电容 851pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 118uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 165nC @ 10V
输入电容 6685pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.9 毫欧 @ 100A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 120A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3.1mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
200+ :  ¥15.3136
400+ :  ¥12.5522
800+ :  ¥10.9149
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK763R1-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK763R1-60E_SOT404 N-Channel 293W 175℃ 3V 60V 120A

¥15.3136 

阶梯数 价格
200: ¥15.3136
400: ¥12.5522
800: ¥10.9149
0 当前型号
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

¥5.159 

阶梯数 价格
10: ¥5.159
100: ¥4.125
314 对比
IPB037N06N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB037N06N3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRFS7537TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@100A,10V N-Channel 60V 173A D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 0 对比
IPB029N06N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB029N06N3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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