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BUK762R4-60E,118  与  IRFS7534TRLPBF  区别

型号 BUK762R4-60E,118 IRFS7534TRLPBF
唯样编号 A-BUK762R4-60E,118 A36-IRFS7534TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK N Channel 60 V 2.4 mO 294 W Surface Mount HexFet Power MosFet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.4mΩ@100A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 349W 294W(Tc)
输出电容 1066pF -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D²PAK(TO-263AB)
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 232A
系列 - HEXFET®,StrongIRFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 250µA
输入电容 9380pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 10034pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 279nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 2.4mΩ@25A,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 10034pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 279nC @ 10V
库存与单价
库存 4,000 83
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
210+ :  ¥16.6362
400+ :  ¥14.0985
800+ :  ¥12.9344
9+ :  ¥5.643
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK762R4-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK762R4-60E_SOT404

¥16.6362 

阶梯数 价格
210: ¥16.6362
400: ¥14.0985
800: ¥12.9344
4,000 当前型号
IRLS3036TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 3,200 对比
IRFS7534TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D²PAK(TO-263AB)

¥5.643 

阶梯数 价格
9: ¥5.643
83 对比
IPB020NE7N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB020NE7N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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