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BUK762R4-60E,118  与  IRLS3036TRLPBF  区别

型号 BUK762R4-60E,118 IRLS3036TRLPBF
唯样编号 A-BUK762R4-60E,118 A3-IRLS3036TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.4mΩ@165A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 349W 380W(Tc)
输出电容 1066pF -
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 270A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
输入电容 9380pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11210pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 140nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 2.4mΩ@25A,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11210pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 140nC @ 4.5V
库存与单价
库存 4,000 3,200
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
210+ :  ¥16.6362
400+ :  ¥14.0985
800+ :  ¥12.9344
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK762R4-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK762R4-60E_SOT404

¥16.6362 

阶梯数 价格
210: ¥16.6362
400: ¥14.0985
800: ¥12.9344
4,000 当前型号
IRLS3036TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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