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BUK7626-100B,118  与  IRL2910SPBF  区别

型号 BUK7626-100B,118 IRL2910SPBF
唯样编号 A-BUK7626-100B,118 A-IRL2910SPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2910SPBF, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.65mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 26mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 1V
栅极电压Vgs 3V -
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 49A 55A
输入电容 2168pF -
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3700pF @ 25V
高度 - 4.83mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 49 ns
漏源极电压Vds 100V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 157W 3.8W
晶体管配置 -
输出电容 238pF -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
Rds On(max)@Id,Vgs 26mΩ@10V -
典型接通延迟时间 - 11 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 140nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
180+ :  ¥13.7127
400+ :  ¥10.713
800+ :  ¥8.7812
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK7626-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7626-100B_SOT404 N-Channel 157W 175℃ 3V 100V 49A

¥13.7127 

阶梯数 价格
180: ¥13.7127
400: ¥10.713
800: ¥8.7812
0 当前型号
AOB2910L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V 20V 30A 50W 23.5mΩ@10V

¥5.102 

阶梯数 价格
1: ¥5.102
100: ¥3.6765
400: ¥3.1646
800: ¥2.5
800 对比
RSJ400N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A(Tc) N-Channel ±20V 27mΩ@40A,10V 1.35W(Ta),50W(Tc) TO-263-3 150℃(TJ) 100V

¥13.3483 

阶梯数 价格
20: ¥13.3483
50: ¥8.8063
100: ¥8.2409
300: ¥7.8672
337 对比
RSJ400N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A(Tc) N-Channel ±20V 27mΩ@40A,10V 1.35W(Ta),50W(Tc) TO-263-3 150℃(TJ) 100V

暂无价格 250 对比
RSJ400N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A(Tc) N-Channel ±20V 27mΩ@40A,10V 1.35W(Ta),50W(Tc) TO-263-3 150℃(TJ) 100V

¥19.8043 

阶梯数 价格
1: ¥19.8043
100: ¥11.4469
1,000: ¥7.2573
100 对比
IRL2910SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 55A 26mΩ 3.8W

暂无价格 0 对比

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