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BUK761R6-40E,118  与  IRFS7437TRLPBF  区别

型号 BUK761R6-40E,118 IRFS7437TRLPBF
唯样编号 A-BUK761R6-40E,118 A-IRFS7437TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK N-Channel 40 V 230 W 150 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.8mΩ@100A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 349W 230W(Tc)
输出电容 1620pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 250A
系列 - HEXFET®,StrongIRFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 150µA
输入电容 8500pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7330pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 225nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 1.57mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7330pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 225nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥17.33
400+ :  ¥14.6864
800+ :  ¥13.4738
暂无价格
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¥17.33 

阶梯数 价格
210: ¥17.33
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