BUK761R6-40E,118 与 IRFS7437TRLPBF 区别
| 型号 | BUK761R6-40E,118 | IRFS7437TRLPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BUK761R6-40E,118 | A-IRFS7437TRLPBF | ||
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | N-Channel 40 V 230 W 150 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -D2PAK-3 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 349W | 230W(Tc) | ||
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V | ||
| 输出电容 | 1620pF | - | ||
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT404 | TO-263AB | ||
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 120A | 250A | ||
| 系列 | - | HEXFET®,StrongIRFET™ | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3.9V @ 150µA | ||
| 输入电容 | 8500pF | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 7330pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 225nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 6V,10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | 1.57mΩ@10V | 1.8mΩ@100A,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3.9V @ 150µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 7330pF @ 25V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 225nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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BUK761R6-40E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 1.57mΩ@10V 349W 175°C 3V 40V 120A |
￥24.3375
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0 | 当前型号 | ||||
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IRFS7437TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 1.8mΩ@100A,10V N-Channel 40V 250A TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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AUIRFS8407TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40V 195A(Tc) ±20V 230W(Tc) 1.8mΩ@100A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRFS7434TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 294W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 1.6mΩ@100A,10V N-Channel 40V 320A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRFS3004TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 380W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 1.75mΩ@195A,10V N-Channel 40V 340A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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