首页 > 商品目录 > > > > BUK7613-100E,118代替型号比较

BUK7613-100E,118  与  IRFS4510TRLPBF  区别

型号 BUK7613-100E,118 IRFS4510TRLPBF
唯样编号 A-BUK7613-100E,118 A-IRFS4510TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK N-Channel 100 V 13.9 mO 58 nC SMT HEXFET Power Mosfet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 13.9mΩ@37A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 182W 140W(Tc)
输出电容 327pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 72A 61A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
输入电容 3400pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3180pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 87nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 13mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3180pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 87nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
190+ :  ¥12.6061
400+ :  ¥9.697
800+ :  ¥8.5814
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK7613-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7613-100E_SOT404 N-Channel 182W 175℃ 3V 100V 72A

¥12.6061 

阶梯数 价格
190: ¥12.6061
400: ¥9.697
800: ¥8.5814
0 当前型号
IRFS4510TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.9mΩ@37A,10V N-Channel 100V 61A D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB70N10SL16ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB70N10SL-16_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPB123N10N3 G Infineon 功率MOSFET

IPB123N10N3GATMA1_-55°C~175°C(TJ) 100V 58A 10.7mΩ 20V 94W N-Channel

暂无价格 0 对比
IRF3610STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 103A 11.6mΩ 333W

暂无价格 0 对比
AOB1100L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V 20V 130A 500W 11.7mΩ@10V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售