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BUK7227-100B,118  与  IRFR3518PBF  区别

型号 BUK7227-100B,118 IRFR3518PBF
唯样编号 A-BUK7227-100B,118 A-IRFR3518PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 48A DPAK Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518PBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 29mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs 3V -
封装/外壳 SOT428 -
工作温度 185°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 48A 38A
输入电容 2092pF -
长度 - 6.73mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1710pF @ 25V
高度 - 2.39mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 37 ns
漏源极电压Vds 100V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 167W 110W
晶体管配置 -
输出电容 241pF -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
Rds On(max)@Id,Vgs 27mΩ@10V -
典型接通延迟时间 - 12 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 56nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
490+ :  ¥8.1273
1,000+ :  ¥6.3002
1,250+ :  ¥5.1641
2,500+ :  ¥4.7377
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK7227-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7227-100B_SOT428 N-Channel 167W 185°C 3V 100V 48A

¥8.1273 

阶梯数 价格
490: ¥8.1273
1,000: ¥6.3002
1,250: ¥5.1641
2,500: ¥4.7377
0 当前型号
AOD2916 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V ±20V 25A 50W 34mΩ@10A,10V -55°C~175°C

¥2.838 

阶梯数 价格
20: ¥2.838
100: ¥2.189
1,250: ¥1.903
2,500: ¥1.815
5,000 对比
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暂无价格 5,000 对比
IRFR540ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 2,000 对比
STD40NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IRFR3518PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 38A 29mΩ 110W

暂无价格 0 对比

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