BUK7212-55B,118 与 IRLR3705ZTRPBF 区别
| 型号 | BUK7212-55B,118 | IRLR3705ZTRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BUK7212-55B,118 | A-IRLR3705ZTRPBF |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A DPAK | Single N-Channel 55 V 12 mOhm 66 nC 130 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12mΩ@25A,10V | 8mΩ@42A,10V |
| 漏源极电压Vds | 55V | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | 167W | 130W(Tc) |
| 输出电容 | 379pF | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±16V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT428 | D-Pak |
| 工作温度 | -55°C~185°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 75A | 89A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 输入电容 | 1840pF | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 66nC @ 5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2900pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 66nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,299 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK7212-55B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 12mΩ@25A,10V 167W -55°C~185°C ±20V 55V 75A |
暂无价格 | 2,299 | 当前型号 |
|
STD60NF55LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 |
|
|
STD60NF55LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRLR3705ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@42A,10V N-Channel 55V 89A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AUIRFR2405 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 56A 16mΩ 110W 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRLR3705ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@42A,10V N-Channel 55V 89A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
