BUK6D72-30EX 与 RF4E080GNTR 区别
| 型号 | BUK6D72-30EX | RF4E080GNTR | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BUK6D72-30EX | A33-RF4E080GNTR-0 | ||||||||||||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4A/11A 6DFN | |||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 15W | 2W | ||||||||||||||||||||
| 上升时间 | - | 3.6ns | ||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 5.8nC | ||||||||||||||||||||
| 输出电容 | 30pF | - | ||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 1.5V,20V | 2.5V | ||||||||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 17.3ns | ||||||||||||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 5S | ||||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT1220 | DFN2020-8 | ||||||||||||||||||||
| 工作温度 | 175°C | -55°C~150°C | ||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 11A | 8A | ||||||||||||||||||||
| 系列 | - | RF4E080GN | ||||||||||||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||||||||||||
| 输入电容 | 100pF | - | ||||||||||||||||||||
| 下降时间 | - | 2.4ns | ||||||||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 6.9ns | ||||||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 72mΩ@10V,100mΩ@4.5V | 17.6mΩ | ||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||
| 库存 | 80 | 2,597 | ||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 28 - 35天 | ||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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BUK6D72-30EX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 72mΩ@10V,100mΩ@4.5V 15W 175°C 1.5V,20V 30V 11A 车规 |
￥3.286
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80 | 当前型号 | ||||||||||||
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RF4E080GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.2805
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3,100 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E070GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 21.4mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML N-Channel 30V 7A |
￥2.2091
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3,100 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥1.1436
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E070BNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A |
￥1.9165
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E080GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.3094
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2,597 | 对比 |
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