BUK6607-55C,118 与 IRFS3307ZPBF 区别
| 型号 | BUK6607-55C,118 | IRFS3307ZPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BUK6607-55C,118 | A-IRFS3307ZPBF |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK | Single N-Channel 75 V 230 W 79 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 5.8mΩ@75A,10V |
| 漏源极电压Vds | 55V | 75V |
| Pd-功率耗散(Max) | 158W | 230W(Tc) |
| 输出电容 | 381pF | - |
| 栅极电压Vgs | 2.3V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT404 | D2PAK |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 100A | 120A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA |
| 输入电容 | 3870pF | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4750pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 110nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 6.5mΩ@10V,10.2mΩ@4.5V,8.7mΩ@5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4750pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 110nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 90 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK6607-55C,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 158W 175°C 2.3V 55V 100A |
暂无价格 | 90 | 当前型号 |
|
IRFS3307ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.8mΩ@75A,10V N-Channel 75V 120A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.5mΩ@66A,10V N-Channel 55V 110A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AUIRF3205ZSTRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 44A 6.5mΩ 20V 170W N-Channel TO-263-3 55V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AUIRF3808S | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 106A 7mΩ 200W 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AOB1608L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 333W 7.3mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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