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BUK6607-55C,118  与  IRF3205ZSTRLPBF  区别

型号 BUK6607-55C,118 IRF3205ZSTRLPBF
唯样编号 A-BUK6607-55C,118 A-IRF3205ZSTRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK Single N-Channel 55 V 170 W 76 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.5mΩ@66A,10V
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 158W 170W(Tc)
输出电容 381pF -
栅极电压Vgs 2.3V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 110A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 3870pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3450pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 6.5mΩ@10V,10.2mΩ@4.5V,8.7mΩ@5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3450pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
库存与单价
库存 90 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥10.823
100+ :  ¥8.017
400+ :  ¥6.7941
800+ :  ¥6.2331
暂无价格
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